SI8261BAD-C-IS
DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP
Osa numero
SI8261BAD-C-IS
Valmistaja/merkki
Sarja
Automotive, AEC-Q100
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
Capacitive Coupling
Käyttölämpötila
-40°C ~ 125°C
Hyväksynnät
CQC, CSA, UR, VDE
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Kanavien lukumäärä
1
Toimittajan laitepaketti
6-SDIP
Jännite - Syöttö
6.5 V ~ 30 V
Virta - Lähtö korkea, matala
500mA, 1.2A
Jännite - Eristys
5000Vrms
Virta - Huipputeho
4A
Nousu-/laskuaika (tyyppi)
5.5ns, 8.5ns
Yhteisen tilan ohimenevä immuniteetti (min)
35kV/µs
Levitysviive tpLH / tpHL (max)
60ns, 50ns
Pulssin leveyden vääristymä (maks.)
28ns
Jännite – eteenpäin (Vf) (tyyppi)
2.8V (Max)
Virta - DC eteenpäin (jos) (maks.)
30mA
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 20834 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI8261BAD-C-IS
SI8261BAD-C-IS Elektroniset komponentit
SI8261BAD-C-IS Myynti
SI8261BAD-C-IS Toimittaja
SI8261BAD-C-IS Jakelija
SI8261BAD-C-IS Tietotaulukko
SI8261BAD-C-IS Kuvat
SI8261BAD-C-IS Hinta
SI8261BAD-C-IS Tarjous
SI8261BAD-C-IS Alin hinta
SI8261BAD-C-IS Hae
SI8261BAD-C-IS Ostaminen
SI8261BAD-C-IS Chip