STFI24N60M2
MOSFET N CH 600V 18A TO281
Osa numero
STFI24N60M2
Valmistaja/merkki
Sarja
MDmesh™ II Plus
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Toimittajan laitepaketti
I2PAKFP (TO-281)
Tehonhäviö (maks.)
30W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1060pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 51753 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta STFI24N60M2
STFI24N60M2 Elektroniset komponentit
STFI24N60M2 Myynti
STFI24N60M2 Toimittaja
STFI24N60M2 Jakelija
STFI24N60M2 Tietotaulukko
STFI24N60M2 Kuvat
STFI24N60M2 Hinta
STFI24N60M2 Tarjous
STFI24N60M2 Alin hinta
STFI24N60M2 Hae
STFI24N60M2 Ostaminen
STFI24N60M2 Chip