STFI26N60M2
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
Osa numero
STFI26N60M2
Valmistaja/merkki
Sarja
MDmesh™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Toimittajan laitepaketti
I2PAKFP (TO-281)
Tehonhäviö (maks.)
30W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
165 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 33601 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta STFI26N60M2
STFI26N60M2 Elektroniset komponentit
STFI26N60M2 Myynti
STFI26N60M2 Toimittaja
STFI26N60M2 Jakelija
STFI26N60M2 Tietotaulukko
STFI26N60M2 Kuvat
STFI26N60M2 Hinta
STFI26N60M2 Tarjous
STFI26N60M2 Alin hinta
STFI26N60M2 Hae
STFI26N60M2 Ostaminen
STFI26N60M2 Chip