STFU28N65M2
MOSFET N-CH 650V 20A
Osa numero
STFU28N65M2
Valmistaja/merkki
Sarja
MDmesh™ M2
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3 Full Pack
Toimittajan laitepaketti
TO-220FP
Tehonhäviö (maks.)
30W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1440pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 6131 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta STFU28N65M2
STFU28N65M2 Elektroniset komponentit
STFU28N65M2 Myynti
STFU28N65M2 Toimittaja
STFU28N65M2 Jakelija
STFU28N65M2 Tietotaulukko
STFU28N65M2 Kuvat
STFU28N65M2 Hinta
STFU28N65M2 Tarjous
STFU28N65M2 Alin hinta
STFU28N65M2 Hae
STFU28N65M2 Ostaminen
STFU28N65M2 Chip