STGD4M65DF2
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Osa numero
STGD4M65DF2
Valmistaja/merkki
Sarja
M
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Syötteen tyyppi
Standard
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Teho - Max
68W
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Käänteinen palautumisaika (trr)
133ns
Virta - Keräin (Ic) (Max)
8A
Jännite – kollektorin lähettimen erittely (maks.)
650V
IGBT-tyyppi
Trench Field Stop
Vce(päällä) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Virta - keräinpulssi (ICM)
16A
Vaihtoenergia
40µJ (on), 136µJ (off)
Portin lataus
15.2nC
Td (päällä/pois) @ 25°C
12ns/86ns
Testi kunto
400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 52406 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta STGD4M65DF2
STGD4M65DF2 Elektroniset komponentit
STGD4M65DF2 Myynti
STGD4M65DF2 Toimittaja
STGD4M65DF2 Jakelija
STGD4M65DF2 Tietotaulukko
STGD4M65DF2 Kuvat
STGD4M65DF2 Hinta
STGD4M65DF2 Tarjous
STGD4M65DF2 Alin hinta
STGD4M65DF2 Hae
STGD4M65DF2 Ostaminen
STGD4M65DF2 Chip