STP130N10F3
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
Osa numero
STP130N10F3
Valmistaja/merkki
Sarja
STripFET™ III
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Tehonhäviö (maks.)
250W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
9.6 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3305pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 14757 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta STP130N10F3
STP130N10F3 Elektroniset komponentit
STP130N10F3 Myynti
STP130N10F3 Toimittaja
STP130N10F3 Jakelija
STP130N10F3 Tietotaulukko
STP130N10F3 Kuvat
STP130N10F3 Hinta
STP130N10F3 Tarjous
STP130N10F3 Alin hinta
STP130N10F3 Hae
STP130N10F3 Ostaminen
STP130N10F3 Chip