TSM110NB04CR
40V 54A 11MO N-CHANNEL POWER MOS
Osa numero
TSM110NB04CR
Valmistaja/merkki
Osan tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerTDFN
Toimittajan laitepaketti
8-PDFN (5x6)
Tehonhäviö (maks.)
3.1W (Ta), 68W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
12A (Ta), 54A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1443pF @ 20V
Vgs (max)
±20V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 38637 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta TSM110NB04CR
TSM110NB04CR Elektroniset komponentit
TSM110NB04CR Myynti
TSM110NB04CR Toimittaja
TSM110NB04CR Jakelija
TSM110NB04CR Tietotaulukko
TSM110NB04CR Kuvat
TSM110NB04CR Hinta
TSM110NB04CR Tarjous
TSM110NB04CR Alin hinta
TSM110NB04CR Hae
TSM110NB04CR Ostaminen
TSM110NB04CR Chip