CSD13306W
MOSFET N-CH 12V 3.5A
Osa numero
CSD13306W
Valmistaja/merkki
Sarja
NexFET™
Osan tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
6-UFBGA, DSBGA
Toimittajan laitepaketti
6-DSBGA (1x1.5)
Tehonhäviö (maks.)
1.9W (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
11.2nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1370pF @ 6V
Vgs (max)
±10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 34848 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta CSD13306W
CSD13306W Elektroniset komponentit
CSD13306W Myynti
CSD13306W Toimittaja
CSD13306W Jakelija
CSD13306W Tietotaulukko
CSD13306W Kuvat
CSD13306W Hinta
CSD13306W Tarjous
CSD13306W Alin hinta
CSD13306W Hae
CSD13306W Ostaminen
CSD13306W Chip