CSD17318Q2
30V N CH MOSFET
Osa numero
CSD17318Q2
Valmistaja/merkki
Sarja
NexFET™
Osan tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
6-WDFN Exposed Pad
Toimittajan laitepaketti
6-WSON (2x2)
Tehonhäviö (maks.)
16W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
15.1 mOhm @ 8A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
879pF @ 15V
Vgs (max)
±10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 36720 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta CSD17318Q2
CSD17318Q2 Elektroniset komponentit
CSD17318Q2 Myynti
CSD17318Q2 Toimittaja
CSD17318Q2 Jakelija
CSD17318Q2 Tietotaulukko
CSD17318Q2 Kuvat
CSD17318Q2 Hinta
CSD17318Q2 Tarjous
CSD17318Q2 Alin hinta
CSD17318Q2 Hae
CSD17318Q2 Ostaminen
CSD17318Q2 Chip