CSD87312Q3E
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Osa numero
CSD87312Q3E
Valmistaja/merkki
Sarja
NexFET™
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerTDFN
Teho - Max
2.5W
Toimittajan laitepaketti
8-VSON (3.3x3.3)
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
27A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 7A , 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1250pF @ 15V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 10238 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta CSD87312Q3E
CSD87312Q3E Elektroniset komponentit
CSD87312Q3E Myynti
CSD87312Q3E Toimittaja
CSD87312Q3E Jakelija
CSD87312Q3E Tietotaulukko
CSD87312Q3E Kuvat
CSD87312Q3E Hinta
CSD87312Q3E Tarjous
CSD87312Q3E Alin hinta
CSD87312Q3E Hae
CSD87312Q3E Ostaminen
CSD87312Q3E Chip