TPS2812DR
IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-SOIC
Osa numero
TPS2812DR
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Syötteen tyyppi
Non-Inverting
Käyttölämpötila
-40°C ~ 125°C (TA)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Jännite - Syöttö
4 V ~ 14 V
Kanavan tyyppi
Synchronous
Ohjattu kokoonpano
Low-Side
Kuljettajien määrä
2
Portin tyyppi
N-Channel, P-Channel MOSFET
Logiikkajännite - VIL, VIH
1V, 4V
Virta – huipputeho (lähde, nielu)
2A, 2A
Korkea sivujännite - Max (käynnistyshihna)
-
Nousu-/laskuaika (tyyppi)
14ns, 15ns
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 19783 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta TPS2812DR
TPS2812DR Elektroniset komponentit
TPS2812DR Myynti
TPS2812DR Toimittaja
TPS2812DR Jakelija
TPS2812DR Tietotaulukko
TPS2812DR Kuvat
TPS2812DR Hinta
TPS2812DR Tarjous
TPS2812DR Alin hinta
TPS2812DR Hae
TPS2812DR Ostaminen
TPS2812DR Chip