Osta Toshiba Semiconductor and Storage TPC8211(TE12L,Q,M) MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

Katso lisätietoja DataSheets

TPC8211(TE12L,Q,M)

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8

Osa numero

TPC8211(TE12L,Q,M)

Valmistaja/merkki

Toshiba Semiconductor and Storage

Sarja

Osan tila

Obsolete

Pakkaus

Tape & Reel (TR)

Käyttölämpötila

150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Teho - Max

450mW

Toimittajan laitepaketti

8-SOP (5.5x6.0)

FET-tyyppi

2 N-Channel (Dual)

FET-ominaisuus

Logic Level Gate

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

30V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

5.5A

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1250pF @ 10V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 46630 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

TPC8.2AHM3/86A

TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Vishay Semiconductor Diodes Division

TPC8.2AHM3/87A

TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Vishay Semiconductor Diodes Division

TPC8.2AHM3_A/H

TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Vishay Semiconductor Diodes Division

TPC8.2AHM3_A/I

TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Vishay Semiconductor Diodes Division

TPC8.2HM3/86A

TVS DIODE 6.63V 12.5V TO277A

Vishay Semiconductor Diodes Division

TPC8.2HM3/87A

TVS DIODE 6.63V 12.5V TO277A

Vishay Semiconductor Diodes Division

TPC8012-H(TE12L,Q)

MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8012-H(TE12L,Q)

MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8012-H(TE12L,Q)

MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8014(TE12L,Q,M)

MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8014(TE12L,Q,M)

MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8014(TE12L,Q,M)

MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8018-H(TE12LQM)

MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8018-H(TE12LQM)

MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8018-H(TE12LQM)

MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8021-H(TE12LQ,M

MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8021-H(TE12LQ,M

MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8021-H(TE12LQ,M

MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Toshiba Semiconductor and Storage

Avainsanat aiheesta TPC8211(TE12L,Q,M)

TPC8211(TE12L,Q,M) Elektroniset komponentit

TPC8211(TE12L,Q,M) Myynti

TPC8211(TE12L,Q,M) Toimittaja

TPC8211(TE12L,Q,M) Jakelija

TPC8211(TE12L,Q,M) Tietotaulukko

TPC8211(TE12L,Q,M) Kuvat

TPC8211(TE12L,Q,M) Hinta

TPC8211(TE12L,Q,M) Tarjous

TPC8211(TE12L,Q,M) Alin hinta

TPC8211(TE12L,Q,M) Hae

TPC8211(TE12L,Q,M) Ostaminen

TPC8211(TE12L,Q,M) Chip