TPH3208PD
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Osa numero
TPH3208PD
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Last Time Buy
Pakkaus
Tube
Tekniikka
GaNFET (Gallium Nitride)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Tehonhäviö (maks.)
-
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 400V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vgs (max)
-
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 9862 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta TPH3208PD
TPH3208PD Elektroniset komponentit
TPH3208PD Myynti
TPH3208PD Toimittaja
TPH3208PD Jakelija
TPH3208PD Tietotaulukko
TPH3208PD Kuvat
TPH3208PD Hinta
TPH3208PD Tarjous
TPH3208PD Alin hinta
TPH3208PD Hae
TPH3208PD Ostaminen
TPH3208PD Chip