Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
DG2519EDN-T1-GE4

DG2519EDN-T1-GE4

HIGH BANDWIDTH, LOW VOLTAGE,DUAL
Osa numero
DG2519EDN-T1-GE4
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Käyttölämpötila
-40°C ~ 85°C (TA)
Paketti / kotelo
10-VFDFN Exposed Pad
Toimittajan laitepaketti
10-DFN (3x3)
Piirien määrä
2
-3 db kaistanleveys
217MHz
Multiplekserin/demultiplekserin piiri
2:1
Kytkentäpiiri
SPDT
Tilavastus (maks.)
4 Ohm
Jännite – syöttö, yksi (V+)
1.8 V ~ 5.5 V
Jännite - Syöttö, kaksois (V�)
-
Kanavien välinen vastaavuus (?Ron)
500 mOhm
Vaihtoaika (tonnia, pois päältä) (maksimi)
40ns, 33ns
Lataa ruiskutus
14pC
Kanavan kapasitanssi (CS (pois päältä), CD (pois))
-
Virta - Vuoto (IS(pois)) (Max)
-
Ylikuuluminen
-61dB @ 1MHz
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 50199 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta DG2519EDN-T1-GE4
DG2519EDN-T1-GE4 Elektroniset komponentit
DG2519EDN-T1-GE4 Myynti
DG2519EDN-T1-GE4 Toimittaja
DG2519EDN-T1-GE4 Jakelija
DG2519EDN-T1-GE4 Tietotaulukko
DG2519EDN-T1-GE4 Kuvat
DG2519EDN-T1-GE4 Hinta
DG2519EDN-T1-GE4 Tarjous
DG2519EDN-T1-GE4 Alin hinta
DG2519EDN-T1-GE4 Hae
DG2519EDN-T1-GE4 Ostaminen
DG2519EDN-T1-GE4 Chip