IRFP22N50APBF
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
Osa numero
IRFP22N50APBF
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-247-3
Toimittajan laitepaketti
TO-247-3
Tehonhäviö (maks.)
277W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3450pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 23234 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRFP22N50APBF
IRFP22N50APBF Elektroniset komponentit
IRFP22N50APBF Myynti
IRFP22N50APBF Toimittaja
IRFP22N50APBF Jakelija
IRFP22N50APBF Tietotaulukko
IRFP22N50APBF Kuvat
IRFP22N50APBF Hinta
IRFP22N50APBF Tarjous
IRFP22N50APBF Alin hinta
IRFP22N50APBF Hae
IRFP22N50APBF Ostaminen
IRFP22N50APBF Chip