IRFR110TRRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Osa numero
IRFR110TRRPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
D-Pak
Tehonhäviö (maks.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 32118 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRFR110TRRPBF
IRFR110TRRPBF Elektroniset komponentit
IRFR110TRRPBF Myynti
IRFR110TRRPBF Toimittaja
IRFR110TRRPBF Jakelija
IRFR110TRRPBF Tietotaulukko
IRFR110TRRPBF Kuvat
IRFR110TRRPBF Hinta
IRFR110TRRPBF Tarjous
IRFR110TRRPBF Alin hinta
IRFR110TRRPBF Hae
IRFR110TRRPBF Ostaminen
IRFR110TRRPBF Chip