IRLI630GPBF
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
Osa numero
IRLI630GPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Tehonhäviö (maks.)
35W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 3.7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 26892 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRLI630GPBF
IRLI630GPBF Elektroniset komponentit
IRLI630GPBF Myynti
IRLI630GPBF Toimittaja
IRLI630GPBF Jakelija
IRLI630GPBF Tietotaulukko
IRLI630GPBF Kuvat
IRLI630GPBF Hinta
IRLI630GPBF Tarjous
IRLI630GPBF Alin hinta
IRLI630GPBF Hae
IRLI630GPBF Ostaminen
IRLI630GPBF Chip