SI1022R-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
Osa numero
SI1022R-T1-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
SC-75A
Toimittajan laitepaketti
SC-75A
Tehonhäviö (maks.)
250mW (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
330mA (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1.25 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 50136 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI1022R-T1-E3
SI1022R-T1-E3 Elektroniset komponentit
SI1022R-T1-E3 Myynti
SI1022R-T1-E3 Toimittaja
SI1022R-T1-E3 Jakelija
SI1022R-T1-E3 Tietotaulukko
SI1022R-T1-E3 Kuvat
SI1022R-T1-E3 Hinta
SI1022R-T1-E3 Tarjous
SI1022R-T1-E3 Alin hinta
SI1022R-T1-E3 Hae
SI1022R-T1-E3 Ostaminen
SI1022R-T1-E3 Chip