SI1035X-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V SC-89
Osa numero
SI1035X-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
SOT-563, SOT-666
Teho - Max
250mW
Toimittajan laitepaketti
SC-89-6
FET-tyyppi
N and P-Channel
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
180mA, 145mA
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
400mV @ 250µA (Min)
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
-
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 29796 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI1035X-T1-GE3
SI1035X-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SI1035X-T1-GE3 Myynti
SI1035X-T1-GE3 Toimittaja
SI1035X-T1-GE3 Jakelija
SI1035X-T1-GE3 Tietotaulukko
SI1035X-T1-GE3 Kuvat
SI1035X-T1-GE3 Hinta
SI1035X-T1-GE3 Tarjous
SI1035X-T1-GE3 Alin hinta
SI1035X-T1-GE3 Hae
SI1035X-T1-GE3 Ostaminen
SI1035X-T1-GE3 Chip