SI1039X-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F
Osa numero
SI1039X-T1-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
SOT-563, SOT-666
Toimittajan laitepaketti
SC-89-6
Tehonhäviö (maks.)
170mW (Ta)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
870mA (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
165 mOhm @ 870mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 51109 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI1039X-T1-E3
SI1039X-T1-E3 Elektroniset komponentit
SI1039X-T1-E3 Myynti
SI1039X-T1-E3 Toimittaja
SI1039X-T1-E3 Jakelija
SI1039X-T1-E3 Tietotaulukko
SI1039X-T1-E3 Kuvat
SI1039X-T1-E3 Hinta
SI1039X-T1-E3 Tarjous
SI1039X-T1-E3 Alin hinta
SI1039X-T1-E3 Hae
SI1039X-T1-E3 Ostaminen
SI1039X-T1-E3 Chip