Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
SI1304BDL-T1-E3

SI1304BDL-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323-3
Osa numero
SI1304BDL-T1-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
SC-70, SOT-323
Toimittajan laitepaketti
SC-70-3
Tehonhäviö (maks.)
340mW (Ta), 370mW (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
900mA (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
100pF @ 15V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 20025 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta SI1304BDL-T1-E3
SI1304BDL-T1-E3 Elektroniset komponentit
SI1304BDL-T1-E3 Myynti
SI1304BDL-T1-E3 Toimittaja
SI1304BDL-T1-E3 Jakelija
SI1304BDL-T1-E3 Tietotaulukko
SI1304BDL-T1-E3 Kuvat
SI1304BDL-T1-E3 Hinta
SI1304BDL-T1-E3 Tarjous
SI1304BDL-T1-E3 Alin hinta
SI1304BDL-T1-E3 Hae
SI1304BDL-T1-E3 Ostaminen
SI1304BDL-T1-E3 Chip