Osta Vishay Siliconix SI1304BDL-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323-3

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

DataSheets

SI1304BDL-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323-3

Osa numero

SI1304BDL-T1-E3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

TrenchFET®

Osan tila

Obsolete

Pakkaus

Digi-Reel®

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

SC-70, SOT-323

Toimittajan laitepaketti

SC-70-3

Tehonhäviö (maks.)

340mW (Ta), 370mW (Tc)

FET-tyyppi

N-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

30V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

900mA (Tc)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

270 mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

2.7nC @ 4.5V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 15V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (max)

±12V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 20025 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

SI1300BDL-T1-E3