SI1433DH-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6
Osa numero
SI1433DH-T1-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Toimittajan laitepaketti
SC-70-6 (SOT-363)
Tehonhäviö (maks.)
950mW (Ta)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 100µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 34836 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI1433DH-T1-E3
SI1433DH-T1-E3 Elektroniset komponentit
SI1433DH-T1-E3 Myynti
SI1433DH-T1-E3 Toimittaja
SI1433DH-T1-E3 Jakelija
SI1433DH-T1-E3 Tietotaulukko
SI1433DH-T1-E3 Kuvat
SI1433DH-T1-E3 Hinta
SI1433DH-T1-E3 Tarjous
SI1433DH-T1-E3 Alin hinta
SI1433DH-T1-E3 Hae
SI1433DH-T1-E3 Ostaminen
SI1433DH-T1-E3 Chip