SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Osa numero
SI2301CDS-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
SOT-23-3 (TO-236)
Tehonhäviö (maks.)
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
112 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
405pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 25451 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI2301CDS-T1-GE3
SI2301CDS-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SI2301CDS-T1-GE3 Myynti
SI2301CDS-T1-GE3 Toimittaja
SI2301CDS-T1-GE3 Jakelija
SI2301CDS-T1-GE3 Tietotaulukko
SI2301CDS-T1-GE3 Kuvat
SI2301CDS-T1-GE3 Hinta
SI2301CDS-T1-GE3 Tarjous
SI2301CDS-T1-GE3 Alin hinta
SI2301CDS-T1-GE3 Hae
SI2301CDS-T1-GE3 Ostaminen
SI2301CDS-T1-GE3 Chip