SI2318DS-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Osa numero
SI2318DS-T1-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
SOT-23-3 (TO-236)
Tehonhäviö (maks.)
750mW (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 20V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 29596 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI2318DS-T1-E3
SI2318DS-T1-E3 Elektroniset komponentit
SI2318DS-T1-E3 Myynti
SI2318DS-T1-E3 Toimittaja
SI2318DS-T1-E3 Jakelija
SI2318DS-T1-E3 Tietotaulukko
SI2318DS-T1-E3 Kuvat
SI2318DS-T1-E3 Hinta
SI2318DS-T1-E3 Tarjous
SI2318DS-T1-E3 Alin hinta
SI2318DS-T1-E3 Hae
SI2318DS-T1-E3 Ostaminen
SI2318DS-T1-E3 Chip