SI2333CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Osa numero
SI2333CDS-T1-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
SOT-23-3 (TO-236)
Tehonhäviö (maks.)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
7.1A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1225pF @ 6V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 50686 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI2333CDS-T1-E3
SI2333CDS-T1-E3 Elektroniset komponentit
SI2333CDS-T1-E3 Myynti
SI2333CDS-T1-E3 Toimittaja
SI2333CDS-T1-E3 Jakelija
SI2333CDS-T1-E3 Tietotaulukko
SI2333CDS-T1-E3 Kuvat
SI2333CDS-T1-E3 Hinta
SI2333CDS-T1-E3 Tarjous
SI2333CDS-T1-E3 Alin hinta
SI2333CDS-T1-E3 Hae
SI2333CDS-T1-E3 Ostaminen
SI2333CDS-T1-E3 Chip