SI3499DV-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
Osa numero
SI3499DV-T1-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Toimittajan laitepaketti
6-TSOP
Tehonhäviö (maks.)
1.1W (Ta)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
8V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
750mV @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±5V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 47202 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI3499DV-T1-E3
SI3499DV-T1-E3 Elektroniset komponentit
SI3499DV-T1-E3 Myynti
SI3499DV-T1-E3 Toimittaja
SI3499DV-T1-E3 Jakelija
SI3499DV-T1-E3 Tietotaulukko
SI3499DV-T1-E3 Kuvat
SI3499DV-T1-E3 Hinta
SI3499DV-T1-E3 Tarjous
SI3499DV-T1-E3 Alin hinta
SI3499DV-T1-E3 Hae
SI3499DV-T1-E3 Ostaminen
SI3499DV-T1-E3 Chip