SI4464DY-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
Osa numero
SI4464DY-T1-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-SO
Tehonhäviö (maks.)
1.5W (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 50959 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI4464DY-T1-E3
SI4464DY-T1-E3 Elektroniset komponentit
SI4464DY-T1-E3 Myynti
SI4464DY-T1-E3 Toimittaja
SI4464DY-T1-E3 Jakelija
SI4464DY-T1-E3 Tietotaulukko
SI4464DY-T1-E3 Kuvat
SI4464DY-T1-E3 Hinta
SI4464DY-T1-E3 Tarjous
SI4464DY-T1-E3 Alin hinta
SI4464DY-T1-E3 Hae
SI4464DY-T1-E3 Ostaminen
SI4464DY-T1-E3 Chip