SI4599DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Osa numero
SI4599DY-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Teho - Max
3W, 3.1W
Toimittajan laitepaketti
8-SO
FET-tyyppi
N and P-Channel
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
6.8A, 5.8A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
35.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
640pF @ 20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 43061 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI4599DY-T1-GE3
SI4599DY-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SI4599DY-T1-GE3 Myynti
SI4599DY-T1-GE3 Toimittaja
SI4599DY-T1-GE3 Jakelija
SI4599DY-T1-GE3 Tietotaulukko
SI4599DY-T1-GE3 Kuvat
SI4599DY-T1-GE3 Hinta
SI4599DY-T1-GE3 Tarjous
SI4599DY-T1-GE3 Alin hinta
SI4599DY-T1-GE3 Hae
SI4599DY-T1-GE3 Ostaminen
SI4599DY-T1-GE3 Chip