SI4933DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC
Osa numero
SI4933DY-T1-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Digi-Reel®
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Teho - Max
1.1W
Toimittajan laitepaketti
8-SO
FET-tyyppi
2 P-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
7.4A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 9.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 500µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
-
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 45190 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI4933DY-T1-E3
SI4933DY-T1-E3 Elektroniset komponentit
SI4933DY-T1-E3 Myynti
SI4933DY-T1-E3 Toimittaja
SI4933DY-T1-E3 Jakelija
SI4933DY-T1-E3 Tietotaulukko
SI4933DY-T1-E3 Kuvat
SI4933DY-T1-E3 Hinta
SI4933DY-T1-E3 Tarjous
SI4933DY-T1-E3 Alin hinta
SI4933DY-T1-E3 Hae
SI4933DY-T1-E3 Ostaminen
SI4933DY-T1-E3 Chip