SI5933DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
Osa numero
SI5933DC-T1-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Digi-Reel®
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SMD, Flat Lead
Teho - Max
1.1W
Toimittajan laitepaketti
1206-8 ChipFET™
FET-tyyppi
2 P-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
2.7A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
-
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 24605 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI5933DC-T1-E3
SI5933DC-T1-E3 Elektroniset komponentit
SI5933DC-T1-E3 Myynti
SI5933DC-T1-E3 Toimittaja
SI5933DC-T1-E3 Jakelija
SI5933DC-T1-E3 Tietotaulukko
SI5933DC-T1-E3 Kuvat
SI5933DC-T1-E3 Hinta
SI5933DC-T1-E3 Tarjous
SI5933DC-T1-E3 Alin hinta
SI5933DC-T1-E3 Hae
SI5933DC-T1-E3 Ostaminen
SI5933DC-T1-E3 Chip