SI6467BDQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
Osa numero
SI6467BDQ-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-TSSOP
Tehonhäviö (maks.)
1.05W (Ta)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
12.5 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 450µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 38894 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI6467BDQ-T1-GE3
SI6467BDQ-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SI6467BDQ-T1-GE3 Myynti
SI6467BDQ-T1-GE3 Toimittaja
SI6467BDQ-T1-GE3 Jakelija
SI6467BDQ-T1-GE3 Tietotaulukko
SI6467BDQ-T1-GE3 Kuvat
SI6467BDQ-T1-GE3 Hinta
SI6467BDQ-T1-GE3 Tarjous
SI6467BDQ-T1-GE3 Alin hinta
SI6467BDQ-T1-GE3 Hae
SI6467BDQ-T1-GE3 Ostaminen
SI6467BDQ-T1-GE3 Chip