SI7222DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
Osa numero
SI7222DN-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® 1212-8 Dual
Teho - Max
17.8W
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® 1212-8 Dual
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Standard
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
6A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 22567 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI7222DN-T1-GE3
SI7222DN-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SI7222DN-T1-GE3 Myynti
SI7222DN-T1-GE3 Toimittaja
SI7222DN-T1-GE3 Jakelija
SI7222DN-T1-GE3 Tietotaulukko
SI7222DN-T1-GE3 Kuvat
SI7222DN-T1-GE3 Hinta
SI7222DN-T1-GE3 Tarjous
SI7222DN-T1-GE3 Alin hinta
SI7222DN-T1-GE3 Hae
SI7222DN-T1-GE3 Ostaminen
SI7222DN-T1-GE3 Chip