SI7223DN-T1-GE3
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
Osa numero
SI7223DN-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET® Gen III
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® 1212-8 Dual
Teho - Max
2.6W (Ta), 23W (Tc)
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® 1212-8 Dual
FET-tyyppi
2 P-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Standard
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
26.4 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1425pF @ 15V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 11875 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI7223DN-T1-GE3
SI7223DN-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SI7223DN-T1-GE3 Myynti
SI7223DN-T1-GE3 Toimittaja
SI7223DN-T1-GE3 Jakelija
SI7223DN-T1-GE3 Tietotaulukko
SI7223DN-T1-GE3 Kuvat
SI7223DN-T1-GE3 Hinta
SI7223DN-T1-GE3 Tarjous
SI7223DN-T1-GE3 Alin hinta
SI7223DN-T1-GE3 Hae
SI7223DN-T1-GE3 Ostaminen
SI7223DN-T1-GE3 Chip