Osta Vishay Siliconix SI7434DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

Katso lisätietoja DataSheets

SI7434DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

Osa numero

SI7434DP-T1-GE3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

TrenchFET®

Osan tila

Active

Pakkaus

Tape & Reel (TR)

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

PowerPAK® SO-8

Toimittajan laitepaketti

PowerPAK® SO-8

Tehonhäviö (maks.)

1.9W (Ta)

FET-tyyppi

N-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

250V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

2.3A (Ta)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

155 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (max)

±20V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 24570 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet