SI7858BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Osa numero
SI7858BDP-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® SO-8
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8
Tehonhäviö (maks.)
5W (Ta), 48W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
12V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
84nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5760pF @ 6V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 52548 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI7858BDP-T1-GE3
SI7858BDP-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SI7858BDP-T1-GE3 Myynti
SI7858BDP-T1-GE3 Toimittaja
SI7858BDP-T1-GE3 Jakelija
SI7858BDP-T1-GE3 Tietotaulukko
SI7858BDP-T1-GE3 Kuvat
SI7858BDP-T1-GE3 Hinta
SI7858BDP-T1-GE3 Tarjous
SI7858BDP-T1-GE3 Alin hinta
SI7858BDP-T1-GE3 Hae
SI7858BDP-T1-GE3 Ostaminen
SI7858BDP-T1-GE3 Chip