SI7898DP-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Osa numero
SI7898DP-T1-E3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® SO-8
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8
Tehonhäviö (maks.)
1.9W (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
150V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 21811 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SI7898DP-T1-E3
SI7898DP-T1-E3 Elektroniset komponentit
SI7898DP-T1-E3 Myynti
SI7898DP-T1-E3 Toimittaja
SI7898DP-T1-E3 Jakelija
SI7898DP-T1-E3 Tietotaulukko
SI7898DP-T1-E3 Kuvat
SI7898DP-T1-E3 Hinta
SI7898DP-T1-E3 Tarjous
SI7898DP-T1-E3 Alin hinta
SI7898DP-T1-E3 Hae
SI7898DP-T1-E3 Ostaminen
SI7898DP-T1-E3 Chip