SIA537EDJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
Osa numero
SIA537EDJ-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Teho - Max
7.8W
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SC-70-6 Dual
FET-tyyppi
N and P-Channel
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
12V, 20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
4.5A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
455pF @ 6V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 31898 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIA537EDJ-T1-GE3
SIA537EDJ-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SIA537EDJ-T1-GE3 Myynti
SIA537EDJ-T1-GE3 Toimittaja
SIA537EDJ-T1-GE3 Jakelija
SIA537EDJ-T1-GE3 Tietotaulukko
SIA537EDJ-T1-GE3 Kuvat
SIA537EDJ-T1-GE3 Hinta
SIA537EDJ-T1-GE3 Tarjous
SIA537EDJ-T1-GE3 Alin hinta
SIA537EDJ-T1-GE3 Hae
SIA537EDJ-T1-GE3 Ostaminen
SIA537EDJ-T1-GE3 Chip