Osta Vishay Siliconix SIDR622DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 150V

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

DataSheets

SIDR622DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 150V

Osa numero

SIDR622DP-T1-GE3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

TrenchFET®

Osan tila

Active

Pakkaus

Cut Tape (CT)

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

PowerPAK® SO-8

Toimittajan laitepaketti

PowerPAK® SO-8DC

Tehonhäviö (maks.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

FET-tyyppi

N-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

150V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

64.6A (Ta), 56.7A (Tc)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

17.7 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1516pF @ 75V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Vgs (max)

±20V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 35095 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR390DP-T1-GE3