Osta Vishay Siliconix SIDR668DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

DataSheets

SIDR668DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V

Osa numero

SIDR668DP-T1-GE3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

TrenchFET® Gen IV

Osan tila

Active

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

PowerPAK® SO-8

Toimittajan laitepaketti

PowerPAK® SO-8DC

Tehonhäviö (maks.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

FET-tyyppi

N-Channel

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

100V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

23.2A (Ta), 95A (Tc)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

108nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

5400pF @ 50V

Vgs (max)

±20V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 42170 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR390DP-T1-GE3