Osta Vishay Siliconix SIE822DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

Katso lisätietoja DataSheets

SIE822DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK

Osa numero

SIE822DF-T1-GE3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

TrenchFET®

Osan tila

Active

Pakkaus

Tape & Reel (TR)

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

10-PolarPAK® (S)

Toimittajan laitepaketti

10-PolarPAK® (S)

Tehonhäviö (maks.)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

FET-tyyppi

N-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

20V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

3.4 mOhm @ 18.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 10V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (max)

±20V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 23539 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

SIE800DF-T1-E3