Osta Vishay Siliconix SIHH14N65E-T1-GE3 MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

DataSheets

SIHH14N65E-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8

Osa numero

SIHH14N65E-T1-GE3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

Osan tila

Active

Pakkaus

Digi-Reel®

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

8-PowerTDFN

Toimittajan laitepaketti

PowerPAK® 8 x 8

Tehonhäviö (maks.)

156W (Tc)

FET-tyyppi

N-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

650V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

15A (Tc)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

260 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

96nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1712pF @ 100V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (max)

±30V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 36266 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

SIHH100N60E-T1-GE3

MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X

Vishay Siliconix

SIHH100N60E-T1-GE3

MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X

Vishay Siliconix

SIHH100N60E-T1-GE3

MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X

Vishay Siliconix

SIHH11N60E-T1-GE3