Osta Vishay Siliconix SIR626LDP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

DataSheets

SIR626LDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8

Osa numero

SIR626LDP-T1-RE3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

TrenchFET® Gen IV

Osan tila

Active

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

PowerPAK® SO-8

Toimittajan laitepaketti

PowerPAK® SO-8

Tehonhäviö (maks.)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

FET-tyyppi

N-Channel

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

60V

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

1.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

135nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

5900pF @ 30V

Vgs (max)

±20V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 5525 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606DP-T1-GE3