Osta Vishay Siliconix SIR640DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

Katso lisätietoja DataSheets

SIR640DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Osa numero

SIR640DP-T1-GE3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

TrenchFET®

Osan tila

Obsolete

Pakkaus

Tape & Reel (TR)

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

PowerPAK® SO-8

Toimittajan laitepaketti

PowerPAK® SO-8

Tehonhäviö (maks.)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

FET-tyyppi

N-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

40V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

113nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

4930pF @ 20V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (max)

±20V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 5052 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Vishay Siliconix

SIR606DP-T1-GE3