SIR698DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
Osa numero
SIR698DP-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® SO-8
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8
Tehonhäviö (maks.)
3.7W (Ta), 23W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
195 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 50V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 5709 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIR698DP-T1-GE3
SIR698DP-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SIR698DP-T1-GE3 Myynti
SIR698DP-T1-GE3 Toimittaja
SIR698DP-T1-GE3 Jakelija
SIR698DP-T1-GE3 Tietotaulukko
SIR698DP-T1-GE3 Kuvat
SIR698DP-T1-GE3 Hinta
SIR698DP-T1-GE3 Tarjous
SIR698DP-T1-GE3 Alin hinta
SIR698DP-T1-GE3 Hae
SIR698DP-T1-GE3 Ostaminen
SIR698DP-T1-GE3 Chip