SIRA50ADP-T1-RE3
MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8
Osa numero
SIRA50ADP-T1-RE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET® Gen IV
Osan tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® SO-8
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® SO-8
Tehonhäviö (maks.)
6.25W (Ta), 100W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
54.8A (Ta), 219A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1.04 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
7300pF @ 20V
Vgs (max)
+20V, -16V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 50741 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIRA50ADP-T1-RE3
SIRA50ADP-T1-RE3 Elektroniset komponentit
SIRA50ADP-T1-RE3 Myynti
SIRA50ADP-T1-RE3 Toimittaja
SIRA50ADP-T1-RE3 Jakelija
SIRA50ADP-T1-RE3 Tietotaulukko
SIRA50ADP-T1-RE3 Kuvat
SIRA50ADP-T1-RE3 Hinta
SIRA50ADP-T1-RE3 Tarjous
SIRA50ADP-T1-RE3 Alin hinta
SIRA50ADP-T1-RE3 Hae
SIRA50ADP-T1-RE3 Ostaminen
SIRA50ADP-T1-RE3 Chip