SIS412DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
Osa numero
SIS412DN-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® 1212-8
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® 1212-8
Tehonhäviö (maks.)
3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 15V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 45473 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIS412DN-T1-GE3
SIS412DN-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SIS412DN-T1-GE3 Myynti
SIS412DN-T1-GE3 Toimittaja
SIS412DN-T1-GE3 Jakelija
SIS412DN-T1-GE3 Tietotaulukko
SIS412DN-T1-GE3 Kuvat
SIS412DN-T1-GE3 Hinta
SIS412DN-T1-GE3 Tarjous
SIS412DN-T1-GE3 Alin hinta
SIS412DN-T1-GE3 Hae
SIS412DN-T1-GE3 Ostaminen
SIS412DN-T1-GE3 Chip