SIS435DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
Osa numero
SIS435DNT-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® 1212-8
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® 1212-8
Tehonhäviö (maks.)
3.7W (Ta), 39W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
5.4 mOhm @ 13A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 8V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5700pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 52546 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIS435DNT-T1-GE3
SIS435DNT-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SIS435DNT-T1-GE3 Myynti
SIS435DNT-T1-GE3 Toimittaja
SIS435DNT-T1-GE3 Jakelija
SIS435DNT-T1-GE3 Tietotaulukko
SIS435DNT-T1-GE3 Kuvat
SIS435DNT-T1-GE3 Hinta
SIS435DNT-T1-GE3 Tarjous
SIS435DNT-T1-GE3 Alin hinta
SIS435DNT-T1-GE3 Hae
SIS435DNT-T1-GE3 Ostaminen
SIS435DNT-T1-GE3 Chip