Osta Vishay Siliconix SISA18DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

Katso lisätietoja DataSheets

SISA18DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Osa numero

SISA18DN-T1-GE3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

TrenchFET®

Osan tila

Discontinued at Digi-Key

Pakkaus

Tape & Reel (TR)

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

PowerPAK® 1212-8

Toimittajan laitepaketti

PowerPAK® 1212-8

Tehonhäviö (maks.)

3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

FET-tyyppi

N-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

30V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

38.3A (Tc)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

7.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

21.5nC @ 10V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (max)

+20V, -16V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 47987 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

SISA01DN-T1-GE3