Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
SISS98DN-T1-GE3

SISS98DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8
Osa numero
SISS98DN-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
ThunderFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
PowerPAK® 1212-8
Toimittajan laitepaketti
PowerPAK® 1212-8
Tehonhäviö (maks.)
57W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
14.1A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 7.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
608pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 39528 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta SISS98DN-T1-GE3
SISS98DN-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SISS98DN-T1-GE3 Myynti
SISS98DN-T1-GE3 Toimittaja
SISS98DN-T1-GE3 Jakelija
SISS98DN-T1-GE3 Tietotaulukko
SISS98DN-T1-GE3 Kuvat
SISS98DN-T1-GE3 Hinta
SISS98DN-T1-GE3 Tarjous
SISS98DN-T1-GE3 Alin hinta
SISS98DN-T1-GE3 Hae
SISS98DN-T1-GE3 Ostaminen
SISS98DN-T1-GE3 Chip