Osta Vishay Siliconix SISS98DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8

Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.

DataSheets

SISS98DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8

Osa numero

SISS98DN-T1-GE3

Valmistaja/merkki

Vishay Siliconix

Sarja

ThunderFET®

Osan tila

Active

Pakkaus

Digi-Reel®

Tekniikka

MOSFET (Metal Oxide)

Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)

Asennustyyppi

Surface Mount

Paketti / kotelo

PowerPAK® 1212-8

Toimittajan laitepaketti

PowerPAK® 1212-8

Tehonhäviö (maks.)

57W (Tc)

FET-tyyppi

N-Channel

FET-ominaisuus

Tyhjennys lähdejännite (Vdss)

200V

Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C

14.1A (Tc)

Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 7.5V

Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

608pF @ 100V

Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Vgs (max)

±20V

Pyydä tarjous

Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.

Varastossa 39528 PCS

Yhteystiedot

Liittyvät tuotteet

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS04DN-T1-GE3