SIZ998DT-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Osa numero
SIZ998DT-T1-GE3
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-PowerWDFN
Teho - Max
20.2W, 32.9W
Toimittajan laitepaketti
8-PowerPair®
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-ominaisuus
Standard
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 50033 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SIZ998DT-T1-GE3
SIZ998DT-T1-GE3 Elektroniset komponentit
SIZ998DT-T1-GE3 Myynti
SIZ998DT-T1-GE3 Toimittaja
SIZ998DT-T1-GE3 Jakelija
SIZ998DT-T1-GE3 Tietotaulukko
SIZ998DT-T1-GE3 Kuvat
SIZ998DT-T1-GE3 Hinta
SIZ998DT-T1-GE3 Tarjous
SIZ998DT-T1-GE3 Alin hinta
SIZ998DT-T1-GE3 Hae
SIZ998DT-T1-GE3 Ostaminen
SIZ998DT-T1-GE3 Chip